内存DRAM的分类介绍

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由于对提高内存速度的要求,不断有新的DRAM出现,它们已不再是单纯的存储单元电路,而是将某些外部电路也一并收容在芯片内,DRAM主要有以下几种:

1.CDRAM(高速缓冲存储器DRAM).它是在DRAM芯片上增加一级高速缓冲存储器,提高DRAM的速度.

2.EDRAM(增强型DRAM).它看两个特点,一是采用了一种场屏蔽的结构的新的CMOS制造工艺,它有效地隔离芯片上的晶体管并降低它们的结电容,使晶体管开关加速,二是在DRAM芯片上增加一个SRAM高速缓冲存储器,行寄存器用来提供零等待状态读出命中和脉冲读出周期以提高速度.

3.MDRAM(多体DRAM).它是把RAM芯片划分成多个(4个,64个或256个)小的存储体,使其存取速度比整个存储体集中在一起要快得多.

4.SDRAM(同步DRAM).一般的DRAM都是异步控制的,即处理器向存储器发出地址和控制电平,指出一组数据要读出或者定稿,要经过一段延时才能完成.造成这一段延时的原因是,DRAM要完成许多内部工作,如读出数据,选择路径,输出数据等.这就是常说的等等时间,降低了CPU效率.

5.RDRAM(Rambus DRAM).RDRAM芯片及其模块的设计和规范是RAMBUS公司的专利,RDRAM内在是一个窄通道内在.通道工作速率800Mhz,传输速率1.6GB/s,采用双通道设计则可达3.2GB/s.一个通道可挂 接32个RDRAM芯片,每个芯片都是RDRAM内在的一个存储体.通道的一端连接RDRAM内在控制器,另一端连接位于主板上的终结器.

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